Stfw.RuНа сегодняшний день самая передовая серийно выпускаемая флэш-память NAND с вертикальной объемной компоновкой имеет 64-слойную структуру (лишь SK Hynix делает 72-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND). В рамках конференции International Memory Workshop 2018 (IMW) специалисты Applied Material обрисовали ближайшие перспективы развития рынка флэш-памяти.
Итак, к концу этого года ожидается освоение серийного выпуска 96-слойных микросхем. Подобные микросхемы будут представлять собой два 48-слойных кристалла, объединенных в единый стек. Оставляя в стороне все технологически сложности, которые предстоит преодолеть, толщина слоя при этом должна снизиться до 55 нм с нынешних 60 нм, а толщина самого кристалла увеличится с 4,5 мкм до 5,5 мкм. Предположительно, увеличение числа слоев до 96 штук позволит довести объем одной микросхемы до 256 и даже 512 ГБ. То есть, объемы SSD продолжат расти, а цены – падать (в теории).
title="Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек" -->
Также по теме:
- Micron начала поставки первых в отрасли SSD на базе памяти QLC NAND
- Intel представила новый класс памяти в 1000 раз быстрее флеш-памяти
- Samsung начала выпускать Aquabolt — самую быструю память HBM2 объемом 8 ГБ
