Samsung рассказала о новых ёмких и производительных SSD и сопутствующих программных решениях

В рамках проведения мероприятия Flash Memory Summit компания Samsung рассказала о своих новых продуктах, использующих технологию флэш-памяти. О чипах памяти V-NAND ёмкостью 1 Тбит мы рассказали в прошлом материале, а теперь сосредоточимся на уже готовых накопителях.На базе новых чипов памяти V-NAND будет выпущен твердотельный накопитель в форм-факторе 2,5 дюйма с интерфейсом SAS. Причём, благодаря компоновке сразу 32 чипов в одной BGA упаковке, удастся повысить ёмкость такого стека до 4 ТБ. А общая ёмкость накопителя составит 128 ТБ.Samsung также представила обновлённую память Z-NAND, которая обладает меньшими задержками по сравнению с существующей флэш-памятью. На её основе будет выпущен первый твердотельный накопитель Z-SSD SZ985, для которого задержки для случайных операций чтения заявлены менее 15 мкс. Это в 5,5 раза меньше, чем у корпоративных накопителей Samsung на базе памяти TLC. Вместе с тем, было анонсировано второе поколение памяти Z-NAND, которое основано на памяти MLC NAND, а не на SLC. В данном случае пришлось незначительно пожертвовать параметрами задержек (5 мкс против 3 мкс) в угоду увеличению плотности хранения данных.Вместе с тем, был анонсирован новый форм-фактор корпоративных твердотельных накопителей, получивший название NGSFF (next-generation small-form-factor). Накопители такого форм-фактора имеют размеры 30,5х110х4,38 мм, ёмкость до 16 ТБ и поддерживают возможность горячей замены. Samsung продемонстрировала серверный корпус 1U, выполненный в дизайне под кодовым названием Mission Peak. Такое решение включает 36 твердотельных накопителей PM983 в форм-факторе NGSFF и имеет совокупную ёмкость хранилища 576 ТБ. Хранилище способно обрабатывать около 10 млн случайных операций ввода-вывода при чтении данных, что в 3 раза превышает возможности корпуса 1U с 2,5-дюймовыми SSD. Кроме того, ёмкость в 1 ПБ может быть достигнута при помощи двух таких систем.Дополнительно Samsung представила новую технологию под названием Key Value SSD. Она включает инновационные методы обработки комплексных наборов данных и призвана решить проблему возрастания сложности обработки данных при создании объектных данных, таких как текстовые, графические, аудио- и видеофайлы. Это особенно актуально для сложных корпоративных систем, обслуживающих постоянно увеличивающееся использование социальных медиа-сервисов и приложений IoT. Отмечается, что современные SSD конвертируют объектные данные различного объёма во фрагменты данных определённого размера – блоки. Для использования этих блоков требуются имплементация процессов, состоящих из этапов LBA (логическая адрессация блоков) и PBA (физическая адрессация блоков). Однако новая технология Key Value SSD позволяет накопителям обрабатывать данные, не трасформируя их в блоки. Вместо этого используется «ключ» (конкретное местоположение) для каждого «значения» (части объектных данных) — независимо от его размера. Ключ позволяет напрямую адресовать местоположение данных, что, в свою очередь, позволяет масштабировать хранилище. При этом масштабирование возможно как в плане производительности, так и ёмкости. В результате, когда данные считываются или записываются, Key Value SSD может устранить избыточные шаги, что приводит к повышению скорости ввода и вывода данных, а также к значительному продлению срока службы SSD.Наконец, новые корпоративные накопители Samsung теперь получили поддержку функций NVMe 1.3 Controller Memory Buffer и IO Determinism, которые были одобрены к имплементации для следующей версии стандарта NVMe. Это позволит разделять SSD на множества пространств имен, которые находятся на физически отдельных чипах NAND и каналах. Благодаря этому операции с одним набором не смогут блокировать операции с другим набором.Источник: Samsung, Anandtech

Также по теме: