Начался выпуск новых российских нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для сетей 5G

Разработанные в НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже современные отечественные GaN-транзисторы ПП9137А запущены в серийное производство госконцерном «Созвездие» в составе холдинга «Росэлектроника». Они предназначены для новых систем радиолокации и оборудования 5G-сетейТранзисторы на основе нитрида галлия (GaN) находят всё большее применение в области радио- и силовой электроники. Их преимущество в том, что они более компактны, чем аналоги на другой основе. Это позволит уменьшить габариты различных устройств питания, а в сетях передачи сигналов обеспечат больший объём передаваемого трафика.Применение нитрида галлия (GaN) в качестве материала для производства транзисторов началось относительно недавно. Первые демонстрации эффективных транзисторных гетероструктур AlGaN/GaN, выявляющие их основные преимущества и перспективы, относятся к началу 1990-х годов. В конце 1990-х годов появляются первые образцы компонентов, одновременно формируются и начинают выполняться военные и государственные программы развития данного направления.
В то же время практически все ведущие мировые электронные компании, так или иначе связанные с производством GaAs и Si компонентов, начинают собственные инвестиции в технологию GaN приборов. Эти инвестиции приносят свои плоды, к 2006-2007 году.Пионерами выхода на коммерческий рынок стали компании Eudyna, Nitronex, Сree и RFHIC, чуть позднее к ним присоединятся Toshiba, RFMD, TriQuint, OKI, NXP.  Для начала серийного производства полупроводниковых приборов на основе GaN ведущим компаниям в области твердотельной СВЧ электроники необходимо было решить ряд проблемных моментов. Среди наиболее важнейших требований — воспроизводимость с высоким коэффициентом выхода годных изделий, долговременная стабильность параметров в заданных эксплуатационных условиях, а также относительно невысокая себестоимость. Транзисторы ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток». Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности — от 9 до 13 дБ, КПД стока — не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.
Как сообщают представители разработчика, гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.Транзисторы, уже запущенные в серию, прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и уже поставляются более чем 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.Приводятся данные, что ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток». Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности — от 9 до 13 дБ, КПД стока — не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.

Также по теме: